2英寸氮化镓晶片
规格
| 项目 | GaN-T-N | GaN-T-S |
| 尺寸 | Φ2英寸 | |
| 厚度 | 15um,20um,30um,40um | 30um,90um |
| 晶向 | C-axis(0001)±1° | |
| 导电型号 | N-Type | 半绝缘性 |
| 电阻率(300K) | <0.05Ω.cm | >106Ω.cm |
| 位错密度 | 小于 1 x108 cm-2 | |
| 晶片结构 | Thick GaN on Sapphire (0001) | |
| 可用的表面积>90% | ||
| 抛光 | 标准 : SSP ( 单抛 ) 选项: DSP(双抛 ) | |
| 包装 | 包装在100级洁净室环境中，在氮气环境下，装在25片盒装或单片容器中。 | |
